FDT86102LZ

מספר מוצר של יצרן:

FDT86102LZ

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDT86102LZ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

מלאי:

7191 יחידות חדשות מק originales במלאי

12848072

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDT86102LZ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

6.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

28mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1490 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.2W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-223-4

חבילה / מארז

TO-261-4, TO-261AA

מספר מוצר בסיסי

FDT86102

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDT86102LZ-DG

FDT86102LZFSTR

FDT86102LZFSCT

FDT86102LZFSDKR

חבילה סטנדרטית

4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTD4863NAT4G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK

onsemi

FDFS6N303

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

FQB5N50CTM

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

onsemi

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC