מספר מוצר של יצרן:
FDS6982S
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6982S-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12838572
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6982S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.3A, 8.6A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2040pF @ 10V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS69
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDC6322C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
FDMS9600S
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
FDC8602
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6