מספר מוצר של יצרן:
FDS6961A_F011
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6961A_F011-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12837280
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6961A_F011 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
220pF @ 15V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS69
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF9956TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
297
DiGi מספר חלק
IRF9956TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMD82100L
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
FDS6986AS
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
FDG6301N-F085P
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
