מספר מוצר של יצרן:
FDS6911
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6911-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12848168
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6911 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1130pF @ 15V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS69
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS6911DKR
FDS6911CT
FDS6911TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUFA76407DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
NTJD4401NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
FDMD84100
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5
