מספר מוצר של יצרן:
FDS6699S
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS6699S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12839007
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS6699S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
91 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3610 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDS6699
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FDS6699STR
FDS6699STR
FDS6699SDKR
ONSONSFDS6699S
FDS6699SCT
2156-FDS6699S-OS
FDS6699S-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM042N03CS RLG
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
14182
DiGi מספר חלק
TSM042N03CS RLG-DG
מחיר ליחידה
0.68
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRF8734TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
162090
DiGi מספר חלק
IRF8734TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.37
סוג משאב
Direct
מספר חלק
SI4368DY-T1-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1330
DiGi מספר חלק
SI4368DY-T1-E3-DG
מחיר ליחידה
0.98
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF1404Z
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
NTTFS4821NTAG
MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
BSO130P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
