FDS6690A

מספר מוצר של יצרן:

FDS6690A

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDS6690A-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

4652 יחידות חדשות מק originales במלאי

12846791

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDS6690A מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

11A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

16 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1205 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

FDS6690

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDS6690ACT

FDS6690ADKR

FDS6690ATR

2832-FDS6690A

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

HUFA76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

onsemi

FDMA86551L

MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET

onsemi

FQPF4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F