FDS6575

מספר מוצר של יצרן:

FDS6575

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDS6575-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

11716 יחידות חדשות מק originales במלאי

12836740

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDS6575 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

13mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

74 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4951 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOIC

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

מספר מוצר בסיסי

FDS65

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

ONSONSFDS6575

FDS6575-DG

FDS6575TR

FDS6575CT

FDS6575DKR

2156-FDS6575-OS

2832-FDS6575

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDS6680S

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

CPH3456-TL-W

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

onsemi

FDMC0310AS

MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP