מספר מוצר של יצרן:
FDS5170N7
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS5170N7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
מלאי:
12840443
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS5170N7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
71 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2889 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO FLMP
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
FDS51
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
FDMS0306S
INTEGRATED CIRCUIT
HUF76009D3ST
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
