מספר מוצר של יצרן:
FDS4559
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS4559-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 4.5A, 3.5A 1W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
10993 יחידות חדשות מק originales במלאי
12839609
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS4559 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A, 3.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650pF @ 25V, 759pF @ 25V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS45
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS4559CT
FDS4559TR
FDS4559-DG
ONSFDS4559
2156-FDS4559-OS
FDS4559DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ECH8651R-R-TL-HX
MOSFET
FDW2501NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
FDMD82100
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
