מספר מוצר של יצרן:
FDS3890
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS3890-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12848943
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS3890 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1180pF @ 40V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS38
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS3890CT
FDS3890DKR
FDS3890-DG
FDS3890TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF7380TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7278
DiGi מספר חלק
IRF7380TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DMN6040SSD-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
12745
DiGi מספר חלק
DMN6040SSD-13-DG
מחיר ליחידה
0.15
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
AO4862E
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
