FDS2670
מספר מוצר של יצרן:

FDS2670

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDS2670-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

מלאי:

2359 יחידות חדשות מק originales במלאי
12837484
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDS2670 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1228 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDS26

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
FDS2670TR
FDS2670CT
ONSONSFDS2670
2156-FDS2670-OS
FDS2670DKR
FDS2670-DG
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FQD4P40TM-AM002

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

onsemi

HUF76645S3S

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

FQP7N80

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

onsemi

FDV304P_NB8U003

MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23