מספר מוצר של יצרן:
FDR858P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDR858P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
מלאי:
12847149
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDR858P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2010 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-8
חבילה / מארז
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDR85
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDR858P-DG
FDR858PCT
FDR858PDKR
FDR858PTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
