מספר מוצר של יצרן:
FDP51N25
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP51N25-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12848405
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP51N25 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
51A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3410 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
320W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP51
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDP51N25-OS
ONSONSFDP51N25
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP50N25T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
533
DiGi מספר חלק
IXTP50N25T-DG
מחיר ליחידה
2.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SUP40N25-60-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
475
DiGi מספר חלק
SUP40N25-60-E3-DG
מחיר ליחידה
2.17
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP600N25N3GXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
647
DiGi מספר חלק
IPP600N25N3GXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.36
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP30N25X3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
100
DiGi מספר חלק
IXFP30N25X3-DG
מחיר ליחידה
3.18
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP26N30X3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
521
DiGi מספר חלק
IXFP26N30X3-DG
מחיר ליחידה
2.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF3860T
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
