מספר מוצר של יצרן:
FDP2D9N12C
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP2D9N12C-DG
תיאור:
PTNG 120V N-FET TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12839564
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP2D9N12C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta), 210A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 686µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
109 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8894 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.4W (Ta), 333W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP2
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP22N30
MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3
FDMS0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
FDD5N50UTF_WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
