מספר מוצר של יצרן:
FDP12N60NZ
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP12N60NZ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12848741
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP12N60NZ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
UniFET-II™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1676 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
240W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDP12N60NZ-DG
2156-FDP12N60NZ-OS
FDP12N60NZOS
2832-FDP12N60NZ
FAIFSCFDP12N60NZ
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDPF12N60NZ
יצרן
onsemi
כמות זמינה
174
DiGi מספר חלק
FDPF12N60NZ-DG
מחיר ליחידה
0.90
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP9N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
20
DiGi מספר חלק
STP9N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Similar
מספר חלק
AOT10N60
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
769
DiGi מספר חלק
AOT10N60-DG
מחיר ליחידה
0.60
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD6606
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
AO3403L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN