מספר מוצר של יצרן:
FDP053N08B-F102
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP053N08B-F102-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
780 יחידות חדשות מק originales במלאי
12837454
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP053N08B-F102 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
75A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
85 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5960 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
146W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP053
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDP053N08B_F102
FDP053N08B_F102-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3816-DL-1EX
MOSFET N-CH
FCP4N60
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
FQD630TM
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
