מספר מוצר של יצרן:
FDP047N10
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP047N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
917 יחידות חדשות מק originales במלאי
12836513
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP047N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
210 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
15265 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP047
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFDP047N10
2156-FDP047N10-OS
2832-FDP047N10
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
FDPF045N10A
MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
