FDP032N08B-F102
מספר מוצר של יצרן:

FDP032N08B-F102

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDP032N08B-F102-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

476 יחידות חדשות מק originales במלאי
12838239
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDP032N08B-F102 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
144 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10965 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
263W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP032

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
FDP032N08B_F102-DG
FDP032N08B_F102
2156-FDP032N08B-F102-OS
ONSONSFDP032N08B-F102
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDMS86320

MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN

onsemi

FDC30N20DZ

MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6

onsemi

FQB34N20TM-AM002

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

onsemi

FQPF5N50

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F