מספר מוצר של יצרן:
FDN86265P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDN86265P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
תיאור מפורט:
P-Channel 150 V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
26027 יחידות חדשות מק originales במלאי
12838997
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDN86265P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
210 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
FDN86265
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDN86265PTR
FDN86265PCT
FDN86265PDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUF76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FCI25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
FDC8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
