FDN8601

מספר מוצר של יצרן:

FDN8601

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDN8601-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

מלאי:

20024 יחידות חדשות מק originales במלאי

12838623

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDN8601 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.7A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

109mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

5 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

210 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.5W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23-3

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

מספר מוצר בסיסי

FDN860

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDN8601DKR

ONSONSFDN8601

FDN8601TR

FDN8601-DG

2156-FDN8601-OS

2832-FDN8601TR

FDN8601CT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FQU1N60TU

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

onsemi

FDS4480

MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC

infineon-technologies

BSS84PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

onsemi

FQU11P06TU

MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK