מספר מוצר של יצרן:
FDN5618P-B8
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDN5618P-B8-DG
תיאור:
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-3
מלאי:
12969780
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDN5618P-B8 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.25A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
430 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
460mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FDN5618P-B8TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFWS015N10MCLT1G
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
NVMYS003N08LHTWG
T8 80V LL LFPAK
NTMFS4C302NT3G
NFET SO8FL 30V 1.15MO