FDN359BN
מספר מוצר של יצרן:

FDN359BN

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDN359BN-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

מלאי:

129702 יחידות חדשות מק originales במלאי
12924765
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDN359BN מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
FDN359

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
FDN359BN_F095
FDN359BNOSDKR
FDN359BNFSCTINACTIVE
FDN359BN_F095DKR
FDN359BN-DG
FDN359BNFSTR-DG
FDN359BNDKR
FDN359BN_F095DKR-DG
FDN359BNFSDKR
FDN359BNFSCT
FDN359BN_F095TR-DG
FDN359BN_F095CT-DG
FDN359BNFSTRINACTIVE
FDN359BNF095
FDN359BNFSTR
FDN359BNFSDKR-DG
FDN359BNCT
FDN359BNFSCT-DG
FDN359BN_F095CT
FDN359BNTR-DG
FDN359BNOSCT
FDN359BNCT-DG
FDN359BNOSTR
FDN359BNDKR-DG
FDN359BNFSDKRINACTIVE
FDN359BNTR
FDN359BN_F095TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microsemi

JANTX2N6802

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF

panasonic

2SJ067400L

MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

microsemi

JANTXV2N6784

MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF

onsemi

FQD2N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK