FDMS86500L

מספר מוצר של יצרן:

FDMS86500L

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS86500L-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 25A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

12741 יחידות חדשות מק originales במלאי

12838834

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS86500L מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

25A (Ta), 80A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

165 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

12530 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMS86500

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMS86500L-DG

FDMS86500LFSDKR

FDMS86500LFSTR

FDMS86500LFSCT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

FDC637AN

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

infineon-technologies

BSS214NW L6327

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3

onsemi

FQPF46N15

MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F

onsemi

HUFA75307D3S

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA