FDMS86202ET120

מספר מוצר של יצרן:

FDMS86202ET120

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS86202ET120-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

תיאור מפורט:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12840057

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS86202ET120 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

120 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

13.5A (Ta), 102A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

64 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4585 pF @ 60 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMS86202

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

FDMS86202ET120-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMS86202ET120TR

FDMS86202ET120CT

FDMS86202ET120DKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FQA36P15

MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN

PCFG40N120ANF

MOSFET N-CH

onsemi

FQPF5N50CFTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

onsemi

NTB125N02RT4

MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK