FDMS86102LZ

מספר מוצר של יצרן:

FDMS86102LZ

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS86102LZ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

66683 יחידות חדשות מק originales במלאי

12838889

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS86102LZ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

7A (Ta), 22A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

22 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1305 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMS86102

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

FDMS86102LZ Datasheet

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDMS86102LZ-OS

FDMS86102LZ-DG

FDMS86102LZCT

FDMS86102LZDKR

ONSONSFDMS86102LZ

FDMS86102LZTR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

SFW9640TM

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

onsemi

FQPF33N10L

MOSFET N-CH 100V 18A TO220F

onsemi

FDB14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

onsemi

HUFA75307D3

MOSFET N-CH 55V 15A IPAK