מספר מוצר של יצרן:
FDMS8560S
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS8560S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
12839279
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS8560S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Ta), 70A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4350 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMS85
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMS8560SDKR
FDMS8560SCT
2832-FDMS8560S
FDMS8560STR
FDMS8560S-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD16325Q5
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
5572
DiGi מספר חלק
CSD16325Q5-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
Similar
מספר חלק
CSD16414Q5
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
2602
DiGi מספר חלק
CSD16414Q5-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
Similar
מספר חלק
BSC018NE2LSIATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
9750
DiGi מספר חלק
BSC018NE2LSIATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
Similar
מספר חלק
BSC018NE2LSATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
11357
DiGi מספר חלק
BSC018NE2LSATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.49
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC025N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
FDS3170N7
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
FCP16N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
