מספר מוצר של יצרן:
FDMS4D4N08C
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS4D4N08C-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 123A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
מלאי:
3657 יחידות חדשות מק originales במלאי
12839309
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS4D4N08C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
123A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4090 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6), Power56
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMS4D4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDMS4D4N08C-488
488-FDMS4D4N08CCT
488-FDMS4D4N08CDKR
FDMS4D4N08C-DG
488-FDMS4D4N08CTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDBL86210-F085
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
FQPF11N40C
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
FDS7788
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
