FDMS3669S

מספר מוצר של יצרן:

FDMS3669S

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS3669S-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

תיאור מפורט:

Mosfet Array 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56

מלאי:

190 יחידות חדשות מק originales במלאי

12851000

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS3669S מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

13A, 18A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.7V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

24nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1605pF @ 15V

הספק - מקס'

1W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

חבילת מכשירים לספקים

Power56

מספר מוצר בסיסי

FDMS3669

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMS3669SCT

FDMS3669SDKR

2156-FDMS3669S-OS

2832-FDMS3669STR

FDMS3669STR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

EFC2J017NUZTDG

MOSFET 2N-CH 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4818BL

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AONX38168

MOSFET 2N-CH 25V 25A/62A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AON6978

MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8DFN