מספר מוצר של יצרן:
FDMS1D4N03S
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS1D4N03S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
12846493
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS1D4N03S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
PowerTrench®, SyncFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
211A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.09mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
65 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10250 pF @ 15 V
תכונת FET
Schottky Diode (Body)
פיזור כוח (מרבי)
74W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMS1D4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMS1D4N03SCT
FDMS1D4N03SDKR
2156-FDMS1D4N03STR
2832-FDMS1D4N03STR
FDMS1D4N03STR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD17559Q5
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
1524
DiGi מספר חלק
CSD17559Q5-DG
מחיר ליחידה
1.04
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263
BMS4007
MOSFET N-CH 75V 60A TO220ML
FQPF12N60C
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
