FDMS039N08B

מספר מוצר של יצרן:

FDMS039N08B

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS039N08B-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN

תיאור מפורט:

N-Channel 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

3489 יחידות חדשות מק originales במלאי

12836629

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS039N08B מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

19.4A (Ta), 100A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

100 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

7600 pF @ 40 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMS039

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMS039N08BTR

FDMS039N08BCT

FDMS039N08BDKR

2156-FDMS039N08BTR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDFS6N548

MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC

onsemi

FDMC8554

MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP

onsemi

FDMS8020

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

onsemi

FQP12P20

MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3