מספר מוצר של יצרן:
FDMD8900
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMD8900-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
מלאי:
12836397
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMD8900 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A, 17A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2605pF @ 15V
הספק - מקס'
2.1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
12-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
12-Power3.3x5
מספר מוצר בסיסי
FDMD89
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ECH8655R-R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
FDME1024NZT
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDMC007N30D
MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
