מספר מוצר של יצרן:
FDMD8580
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMD8580-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
תיאור מפורט:
Mosfet Array 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 2.3W Surface Mount Power56
מלאי:
12839574
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMD8580 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5875pF @ 40V
הספק - מקס'
2.3W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
Power56
מספר מוצר בסיסי
FDMD85
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMD8580TR
FDMD8580CT
FDMD8580DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NX7002BKXBZ
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
FDS8984-F085
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
EFC6602R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718