FDMD85100

מספר מוצר של יצרן:

FDMD85100

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMD85100-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 100V 10.4A POWER56

תיאור מפורט:

Mosfet Array 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12850250

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMD85100 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Half Bridge)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10.4A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2230pF @ 50V

הספק - מקס'

2.2W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

חבילת מכשירים לספקים

Power56

מספר מוצר בסיסי

FDMD85

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMD85100DKR

FDMD85100CT

FDMD85100TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDS3912

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

onsemi

FDMD8260LET60

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

EFC2J013NUZTDG

MOSFET 2N-CH 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4840

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC