מספר מוצר של יצרן:
FDMC89521L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMC89521L-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 8.2A (Ta) 1.9W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
מלאי:
8535 יחידות חדשות מק originales במלאי
12839760
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMC89521L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.2A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1635pF @ 30V
הספק - מקס'
1.9W (Ta), 16W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-Power33 (3x3)
מספר מוצר בסיסי
FDMC89521
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMC89521L-DG
ONSONSFDMC89521L
FDMC89521LDKR
2156-FDMC89521L-OS
FDMC89521LTR
FDMC89521LCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP
