FDMC86116LZ

מספר מוצר של יצרן:

FDMC86116LZ

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMC86116LZ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

מלאי:

4978 יחידות חדשות מק originales במלאי

12845206

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMC86116LZ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

3.3A (Ta), 7.5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

103mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

6 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

310 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.3W (Ta), 19W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-MLP (3.3x3.3)

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMC86116

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMC86116LZ-DG

FDMC86116LZTR

FDMC86116LZCT

FDMC86116LZDKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AO4415

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRLR024N

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOT8N50

MOSFET N-CH 500V 8A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOI482

MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A