מספר מוצר של יצרן:
FDMC5614P-B8
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMC5614P-B8-DG
תיאור:
FET -60V 100.0 MOHM MLP33
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
מלאי:
12974607
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMC5614P-B8 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1055 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-WDFN (3.3x3.3)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FDMC5614P-B8TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFWS2D3P04M8LT1G
MV8 P INITIAL PROGRAM
PJMD990N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
PJQ4465AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
