FDMC2610
מספר מוצר של יצרן:

FDMC2610

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMC2610-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

מלאי:

5348 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847165
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDMC2610 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
960 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-MLP (3.3x3.3)
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMC26

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
FDMC2610DKR
FDMC2610TR
2156-FDMC2610-OS
FDMC2610CT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

NTGS3433T1G

MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP

onsemi

FDS6609A

MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

onsemi

FDP036N10A

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

onsemi

CPH6350-P-TL-E

MOSFET P-CH 30V 6A CPH6