FDG6303N

מספר מוצר של יצרן:

FDG6303N

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDG6303N-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88

תיאור מפורט:

Mosfet Array 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

מלאי:

4630 יחידות חדשות מק originales במלאי

12846961

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDG6303N מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

500mA

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

2.3nC @ 4.5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

50pF @ 10V

הספק - מקס'

300mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

חבילת מכשירים לספקים

SC-88 (SC-70-6)

מספר מוצר בסיסי

FDG6303

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDG6303NDKR

FDG6303NTR

ONSONSFDG6303N

FDG6303NCT

2156-FDG6303N-OS

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTMFD4C88NT3G

MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN

onsemi

FDS8962C

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AON2803

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN

ECH8691-TL-W

MOSFET 2P-CH ECH8