מספר מוצר של יצרן:
FDG6303N-F169
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDG6303N-F169-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
תיאור מפורט:
Mosfet Array 25V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
מלאי:
12846624
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDG6303N-F169 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.3nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50pF @ 10V
הספק - מקס'
300mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-88 (SC-70-6)
מספר מוצר בסיסי
FDG6303
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AO8810
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
AON3613
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
HUFA76413DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
