מספר מוצר של יצרן:
FDG315N
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDG315N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
מלאי:
12850111
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDG315N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
220 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
750mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-88 (SC-70-6)
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
מספר מוצר בסיסי
FDG315
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
