מספר מוצר של יצרן:
FDFS2P753Z
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDFS2P753Z-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12848465
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDFS2P753Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
115mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
455 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDFS2
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDFS2P753ZDKR
FDFS2P753ZCT
FDFS2P753ZTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQD4N50TM_WS
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
FCH085N80-F155
MOSFET N-CH 800V 46A TO247
AOB10N60L
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
