מספר מוצר של יצרן:
FDFS2P102A
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDFS2P102A-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12839210
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDFS2P102A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
182 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDFS2
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDFS2P102A_NLCT
FDFS2P102A_NLTR
FDFS2P102ADKR
FDFS2P102ACT-NDR
FDFS2P102ACT
FDFS2P102A_NL
FDFS2P102ATR
FDFS2P102ATR-NDR
FDFS2P102A_NLTR-DG
FDFS2P102A_NLCT-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUF76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
FDS7296N3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
HUFA75344G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
