מספר מוצר של יצרן:
FDD8782
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD8782-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12850713
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD8782 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1220 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD878
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDD8782TR
FDD8782DKR
FDD8782CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD090N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
94138
DiGi מספר חלק
IPD090N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDH15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
FDD5810
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
FDMS7670AS
MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN
