FDD86252
מספר מוצר של יצרן:

FDD86252

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDD86252-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

80199 יחידות חדשות מק originales במלאי
12838853
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDD86252 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Ta), 27A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
985 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD862

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
FDD86252CT
FDD86252TR
FDD86252DKR
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDMS86368-F085

MOSFET N-CH 80V 80A POWER56

infineon-technologies

64-9146

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

onsemi

FDS6670A

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FDD3682

MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA