מספר מוצר של יצרן:
FDD86250
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD86250-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
1640 יחידות חדשות מק originales במלאי
12838703
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD86250 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2110 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD862
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD200N15N3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
51180
DiGi מספר חלק
IPD200N15N3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
HUFA75321D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
