FDD86102LZ

מספר מוצר של יצרן:

FDD86102LZ

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDD86102LZ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

20852 יחידות חדשות מק originales במלאי

12838862

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDD86102LZ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8A (Ta), 35A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

22.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

26 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1540 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252AA

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

FDD86102

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDD86102LZ-DG

ONSONSFDD86102LZ

2156-FDD86102LZ-OS

FDD86102LZFSDKR

FDD86102LZFSCT

FDD86102LZFSTR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

94-2989

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

onsemi

FQPF5N90

MOSFET N-CH 900V 3A TO220F

onsemi

FCPF190N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3

onsemi

FQD4N50TF

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK