מספר מוצר של יצרן:
FDD850N10L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD850N10L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 15.7A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
8609 יחידות חדשות מק originales במלאי
12846636
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD850N10L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
75mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1465 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD850
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDD850N10LTR
FDD850N10LCT
FDD850N10L-DG
FDD850N10LDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQA28N15_F109
MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
AOD486A
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
NVMJS1D7N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
