FDD2670

מספר מוצר של יצרן:

FDD2670

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDD2670-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

2496 יחידות חדשות מק originales במלאי

12847720

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDD2670 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

3.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

130mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

43 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1228 pF @ 100 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.2W (Ta), 70W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252AA

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

FDD267

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDD2670TR

2156-FDD2670

FDD2670DKR

FDD2670CT

FDD2670-DG

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDMS86350ET80

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

onsemi

FDN336P-NL

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FDB075N15A_SN00284

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FDWS9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN