מספר מוצר של יצרן:
FDC8886
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDC8886-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
מלאי:
11945 יחידות חדשות מק originales במלאי
12836294
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDC8886 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.5A (Ta), 8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
465 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-6
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
FDC8886
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDC8886CT
FDC8886DKR
FDC8886TR
FDC8886-DG
2156-FDC8886-OS
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
ATP108-TL-H
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
IRFU220_R4941
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
