מספר מוצר של יצרן:

FDC5612

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDC5612-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

מלאי:

4007 יחידות חדשות מק originales במלאי

12850493

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDC5612 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.3A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

18 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

650 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.6W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SuperSOT™-6

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

מספר מוצר בסיסי

FDC5612

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDC5612CT

FDC5612TR

FDC5612DKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FQA32N20C

MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN

FDMB506P

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

alpha-and-omega-semiconductor

AOI5N40

MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A

onsemi

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F